近年來(lái)，隨著(zhù)新能源汽車(chē)市場(chǎng)銷(xiāo)售額的持續增長(cháng)，SiC碳化硅模塊因其適用于高頻率、高功率密度的工作場(chǎng)景，逐漸成為各大廠(chǎng)商加速新能源創(chuàng )新的首選。為輔助廠(chǎng)商更好地完善碳化硅模塊設計，廣東愛(ài)晟電子科技有限公司推出了DR系列打線(xiàn)門(mén)極電阻，助力模塊解鎖高效性能。

與傳統的硅基材料相比，碳化硅模塊能夠承受更高的工作溫度和更高的電壓，打線(xiàn)門(mén)極電阻的加入，能夠為模塊帶來(lái)顯著(zhù)的性能提升。具體如下：

一、提高開(kāi)關(guān)速度

通過(guò)打線(xiàn)門(mén)極電阻與碳化硅模塊內部SiC芯片的電連接，能夠有效降低柵極驅動(dòng)回路的電感，提高碳化硅模塊的開(kāi)關(guān)速度。而開(kāi)關(guān)速度的提升，則有助于減少功率轉換過(guò)程中的能量損失，提高設備的整體效率。

二、提升功率密度

在碳化硅模塊的設計方案中設置門(mén)極電阻，并結合其它元器件進(jìn)行優(yōu)化連接，在有限的空間內高效布局更多的功率器件，可大幅提升襯底利用率。這有助于滿(mǎn)足功率模塊設計中日益增長(cháng)的小型化、密集化需求，推動(dòng)其持續發(fā)展。

三、降低損耗

加入打線(xiàn)門(mén)極電阻，在消除源極電感效應的同時(shí)，顯著(zhù)提高開(kāi)關(guān)速度。這一綜合效果使得碳化硅模塊的損耗大幅度降低，不僅有助于提升設備整體穩定性，還有助于延長(cháng)模塊的使用壽命。

愛(ài)晟電子研發(fā)、量產(chǎn)的SiC碳化硅模塊用打線(xiàn)門(mén)極電阻，具有電阻溫度系數（TCR，Temperature Coefficient Of Electric Resistance）低的特點(diǎn)，有利于推進(jìn)碳化硅模塊的高能效發(fā)展。而且門(mén)極電阻有水平導通及垂直導通兩種結構，客戶(hù)可根據SiC碳化硅模塊不同的安裝要求進(jìn)行選擇。同時(shí)，由于打線(xiàn)門(mén)極電阻的功能區均被保護在電阻內部，因此其可靠性也具備一定優(yōu)勢。