隨著(zhù)SiC碳化硅模塊在高功率應用領(lǐng)域的迅速發(fā)展，其優(yōu)越的性能如高耐溫性、高功率密度、低開(kāi)關(guān)損耗等，促進(jìn)了其在新能源汽車(chē)、電氣化交通、智能化電網(wǎng)等行業(yè)的廣泛應用。高開(kāi)關(guān)頻率應用過(guò)程中，傳統碳化硅模塊電流不均衡、電磁干擾等問(wèn)題，成為制約其性能和可靠性的關(guān)鍵因素。為改善上述技術(shù)困難，廣東愛(ài)晟電子科技有限公司推出了DR系列打線(xiàn)門(mén)極電阻，以提升碳化硅模塊效率。

在碳化硅模塊中，打線(xiàn)門(mén)極電阻下表面被焊接于焊盤(pán)上，上表面通過(guò)邦定工藝與SiC芯片進(jìn)行電連接。通過(guò)創(chuàng )新的布局和工藝優(yōu)化，門(mén)極電阻幫助碳化硅模塊有效維護穩定性、精確控制電流。打線(xiàn)門(mén)極電阻在碳化硅功率模塊中主要起到以下作用：

一、降低開(kāi)關(guān)損耗：碳化硅模塊可通過(guò)打線(xiàn)門(mén)極電阻有效減少開(kāi)關(guān)損耗和電壓過(guò)沖，降低電磁干擾，提高系統效率。

二、保護模塊安全：門(mén)極電阻能夠輔助碳化硅模塊均衡電流大小，防止因驅動(dòng)電流過(guò)大導致模塊損毀。

三、提高系統穩定性：采用打線(xiàn)門(mén)極電阻，能夠降低對碳化硅模塊的電路性能影響，提高系統的穩定性。

愛(ài)晟電子生產(chǎn)的門(mén)極電阻具有垂直導通式與水平導通式兩種封裝形式，廠(chǎng)商可根據碳化硅模塊的尺寸、布局要求合理選擇，以達到模塊效率最大化。打線(xiàn)門(mén)極電阻還具備良好耐候性，可抵受碳化硅模塊不同的極端應用環(huán)境。綜上所述，在碳化硅模塊中設置打線(xiàn)門(mén)極電阻，有效輔助其實(shí)現SiC芯片間的均流控制、降低開(kāi)關(guān)損耗，顯著(zhù)提升了SiC碳化硅模塊的效率、可靠性和熱管理能力。